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安森美半導體的高頻準諧振反激式參考設計實現(xiàn)超高功率密度緊湊適配器

發(fā)布時間:2024-10-06
隨著現(xiàn)代電子器件的日益迅速發(fā)展,人們對于電子產(chǎn)品的需求也越來越高。然而,為了滿足新時代這種快節(jié)奏的需求,電子產(chǎn)品也需不斷升級換代,以實現(xiàn)更加高效便捷的使用體驗。在這種背景下,安森美半導體公司推出的高頻準諧振反激式參考設計無疑讓人眼前一亮。
據(jù)悉,安森美半導體的這項參考設計,能夠?qū)崿F(xiàn)超高功率密度,緊湊的適配器,其功率密度高達24 w/in^3,在12 v輸出的情況下,最大輸出功率為65 w。同時,該參考設計還擁有極高的系統(tǒng)效率,高達92.5%。
這一高頻準諧振反激式參考設計的研發(fā),是安森美半導體的一項重要成果。該參考設計旨在為電子產(chǎn)品的研發(fā)提供更好的解決方案,以實現(xiàn)更高效的電能傳輸和更緊湊的產(chǎn)品設計。
此外,該參考設計還采用了安森美半導體獨有的瞬時電壓控制(ivc)技術,可以幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更快的調(diào)節(jié)速度和更穩(wěn)定的負載跟蹤。這些特性可以最大程度地提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,并有效降低所需的系統(tǒng)成本。
總體而言,安森美半導體的高頻準諧振反激式參考設計,無疑是一種優(yōu)秀的電源設計方案,可以支持各種電子產(chǎn)品的正常運作。通過這種高效的電源設計,可以在同時滿足功率密度、效率、可靠性和成本等要求的前提下,為消費者提供更好的使用體驗。
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