lpc2114/2124/2210/2212/2214微控制器的arm內(nèi)核工作在最高頻率60mhz時(shí)，執(zhí)行一條指令約為17ns。而flash存儲(chǔ)器的訪問周期需要50ns，即最高頻率20mhz。所以如果將代碼存放在flash中，將影響arm內(nèi)核發(fā)揮最大效能。為了能將指令從內(nèi)部flash存儲(chǔ)器更高效快速地提取到arm內(nèi)核，而設(shè)計(jì)產(chǎn)生了一個(gè)存儲(chǔ)器加速模塊（mam）。
mam結(jié)構(gòu)
存儲(chǔ)器加速模塊寄存器描述
mam控制寄存器(mamcr)：
mamcr[1:0]：用于mam的模式控制，具體關(guān)系如下表。
存儲(chǔ)器加速模塊寄存器描述
mam定時(shí)寄存器(mamtim)：
mamtim[2:0]：決定使用多少個(gè)cclk周期訪問flash存儲(chǔ)器，這樣可以調(diào)整mam時(shí)序使其匹配處理器操作頻率，具體關(guān)系如下表。
當(dāng)訪問周期設(shè)置為1個(gè)cclk時(shí)，實(shí)際上關(guān)閉了mam，但是仍可以選擇mam模式對(duì)功耗進(jìn)行優(yōu)化。
注意：不正確的設(shè)定會(huì)導(dǎo)致器件的錯(cuò)誤操作
mam使用要點(diǎn)
當(dāng)改變mam定時(shí)值時(shí)，必須先將mamcr設(shè)置為0關(guān)閉mam，然后將新值寫入mamtim。最后將需要的操作模式的對(duì)應(yīng)值（1或2）寫入mamcr，再次打開mam；
對(duì)于低于20mhz的系統(tǒng)時(shí)鐘，mamtim設(shè)定為001，將flash訪問時(shí)間設(shè)定為1cclk ；對(duì)于20mhz到40mhz之間的系統(tǒng)時(shí)鐘，建議將flash訪問時(shí)間設(shè)定為2cclk；高于40mhz的系統(tǒng)時(shí)鐘，建議使用3cclk。
相關(guān)啟動(dòng)代碼分析
外部存儲(chǔ)器控制器概述
emc模塊支持4個(gè)獨(dú)立配置的存儲(chǔ)器組，每個(gè)存儲(chǔ)器組的總線寬度可設(shè)置為8、16或者32位，但是同一個(gè)存儲(chǔ)器組的器件必須寬度相同。
每個(gè)存儲(chǔ)器組最大支持16mb尋址空間。
支持字節(jié)定位讀取。
地址輸出線是a[23:0]，其中地址位a[25:24]用于4個(gè)存儲(chǔ)器組的譯碼（cs[3:0]）。
外部存儲(chǔ)器總線接口描述
接口引腳描述：
這些引腳與p1、p2和p3口gpio功能復(fù)用，所以在使用外部總線前首先要正確設(shè)置pinsel2寄存器。可以在硬件上對(duì)引腳boot1:0設(shè)定，復(fù)位時(shí)微處理器自動(dòng)初始化pinsel2?；蛘咴谲浖献止?jié)初始化pinsel2，這只適用于片內(nèi)flash引導(dǎo)程序運(yùn)行的系統(tǒng)中。
外部存儲(chǔ)器讀訪問典型波形：
經(jīng)過一個(gè)等待狀態(tài)后，存儲(chǔ)器輸出有效數(shù)據(jù)。
外部存儲(chǔ)器寫訪問典型波形：