半導體器件和電路制造技術飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰(zhàn)。對于半導體失效分析（fa）而言，微光顯微鏡（emission microscope, emmi）是一種相當有用且效率高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導體組件中電子－電洞對再結合時所發(fā)射出來的光線，能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm左右。它可以廣泛的應用于偵測ic中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如：gate oxide defects / leakage、latch up、esd failure、junction leakage等。
emmi的工作原理圖如下：
由于加速載流子發(fā)光，即在局部的強場作用下產(chǎn)生的高速載流子與晶格原子發(fā)生碰撞離化，發(fā)射出光子，通常其光譜在可見光范圍內(nèi)有一個寬的分布（650-1050 nm），采用深度制冷的ccd相機可以拍攝到此現(xiàn)象。
先鋒科技公司代理的英國安道爾公司深度制冷ccd相機，5年的真空封閉質保期，免除了您對于售后造成的困擾，同時相機在近紅外區(qū)域具有好的信噪比，針對emmi的應用，主要*ccd相機如下：
型號
clara
ikon m 934 brdd
生產(chǎn)廠家
英國andor公司
英國andor公司
分辨率
1392*1040
1024*1024
zui低制冷溫度
零下45度
零下80度
像素尺寸
6.45um*6.45um
13um*13um
900nm量子效率
10%
65%
計算機接口
usb2.0
usb2.0
zui高幀速
11fps
2fps
是否含有em增益
否
否
產(chǎn)品優(yōu)勢及建議應用
具有軟件可選近紅外增強模式，很低的制冷溫度，適用于離線電致/光致熒光檢測
背感光芯片，具有zui高的量子效率及zui低的制冷溫度，是離線電致/光致熒光檢測的研究級產(chǎn)品