安徽某晶體廠商采用hakuto離子刻蝕機(jī)20ibe-j刻蝕濾波器鉭酸鋰晶片,采用間歇式離子束刻蝕方法,解決了刻蝕區(qū)微裂紋工藝問題,使厚度為60μm鉭酸鋰晶片減薄至30μm.
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-j技術(shù)參數(shù):
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均勻性
±5%
硅片刻蝕率
20 nm/min
樣品臺(tái)
直接冷卻,水冷
離子源
φ20cm考夫曼離子源
hakuto離子刻蝕機(jī)20ibe-j的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的射頻離子源rficp220
伯東kri射頻離子源rficp 220技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào)
rficp 220
discharge
rficp射頻
離子束流
>800 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
20 cm φ
離子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
晶體濾波器的用途越來越廣泛,尤其在通信機(jī)和雷達(dá)設(shè)備中,都需要高頻率、大帶寬的晶體濾波器.目前,晶體濾波器使用的主要材料是石英晶體,由于其具有高品質(zhì)因數(shù)(q)值、良好的溫度穩(wěn)定性和時(shí)間穩(wěn)定性,在精度要求很高的窄帶濾波器中具有很大的優(yōu)越性.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論,請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東:羅先生